Індекс рубрикатора НБУВ: В382.204.203.55

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проблему обчислення іонної сили опору, що діє на заряджену макрочастинку в потоці беззіткнювальної плазми, досліджено на підставі прямого числового розв'язку системи кінетичних рівнянь Власова для компонент плазми. Розглянуто процес обтікання сферичної мікрочастинки рівномірним потоком плазми. Розрахунки проведено для різних розмірів частинок і різних значень швидкості потоку плазми. На підставі одержаних результатів досліджено вплив розміру частинки на величину іонної сили опору. Показано, що коли розмір частинки є набагато меншим за довжину Дебая в плазмі, іонну силу опору можна обчислити з гарною точністю за допомогою відомої теорії парних зіткнень. Для обчислення іонної сили опору у випадку, коли розмір частинки стає порівняним із довжиною Дебая в плазмі, запропоновано модифіковану теорію парних зіткнень. Показано, що результати, одержані шляхом числового розв'язку кінетичних рівнянь, добре узгоджуються із результатами, які одержані за допомогою модифікованої теорії парних зіткнень.

Теоретично досліджено механізми аномальної дифузії колоїдних частинок у нематичному середовищі. Показано, що теплові флуктуації директора рідкого кристала можуть зв'язуватись з поступальним та обертальним рухом частинок, призводячи до аномальної дифузії. Можлива як супердифузія, коли середньоквадратичне зміщення зростає з часом швидше, ніж лінійно, так і субдифузія, коли ця залежність є повільнішою від лінійної. Для мікронних частинок режим аномальної дифузії передбачається на мілісекундних часових масштабах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.26

Рубрики:

Вплив дефектів на електропровідність

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено температурні залежності енергії та півширини поверхневого плазмонного резонансу (ППР) в сферичних наночастинках міді розмірами 17 - 59 нм у кварцевій матриці в інтервалі температур 293 - 460 K. Показано, що підвищення температури призводить до червоного зсуву та розширення ППР в наночастинках Cu. Одержані залежності проаналізовано в межах теоретичної моделі, яка включає теплове розширення наночастинки, електрон-фононне розсіяння (ЕФР) у наночастинці та температурну залежність діелектричної проникності матриці. Показано, що теплове розширення є основним механізмом, що зумовлює температурний червоний зсув ППР у наночастинках міді. Виявлено, що об'ємний коефіцієнт теплового розширення наночастинок Cu не залежить від розміру частинки в дослідженому діапазоні розмірів. Показано, що збільшення частоти ЕФР у разі збільшення температури є домінуючим механізмом розширення ППР у наночастинках міді.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В372.314.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Екситони. Екситонні рівні

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

У системі чотирьох кубітів розглянуто вплив наявності білого та кольорового шуму в станах початково приготованих заплутаних пар кубітів на кінцевий стан пари кубітів, що одержується в результаті операції безконтактного заплутування. Побудовано відповідні матриці густини, проаналізовано перерозподіл часток чистого стану та білого і кольорового шуму. З'ясовано умови збереження та руйнування заплутаності під час переходу від початкового до кінцевого стану. Проведено порівняння ентропії фон Неймана початкового та кінцевого станів пари кубітів.

Проаналізовано властивості димерів води. Цю проблему досліджено на базі мультипольного потенціалу, подовженого до квадруполь-квадрупольного та дипольоктупольного внесків. Одержано значення всіх основних рівноважних параметрів димеру води: його геометричних характеристик, енергії основного стану, дипольного та квадрупольного моментів, частот коливальних станів тощо. Обговорено адекватність модельних потенціалів міжмолекулярної взаємодії у воді. Запропоновано новий погляд на природу водневого зв'язку. Результати дослідження зіставлено з даними спектроскопічних досліджень і комп'ютерних симуляцій.

Досліджено умови існування симетричних та антисиметричних зв'язаних енергетичних рівнів (умови стабільності) на площині маса - заряд для двовимірних кулонівських систем трьох заряджених частинок, коли розглядаються дві тотожні частинки одного сорту, а третя частинка є іншого сорту. Високоточні тричастинкові числові розрахунки виконано на базі стохастичного варіаційного методу з гаусоїдними базисами. Встановлено низку аномальних ефектів у поведінці характерних відстаней між частинками та за наявності ненульового квадрупольного моменту у двовимірному полярно-симетричному полі. Виконано систематичне порівняння результатів дослідження для дво- та тривимірних систем. Для деяких еталонних систем трьох частинок одержано енергії, розміри, розподіли густини та кореляційні функції.

За допомогою ядерних аналітичних методів резерфордівського зворотного розсіяння та індукованого частинками характеристичного рентгенівського випромінювання досліджено поверхневі наношари структури золото - кремній. Від параметрів цих шарів кардинально залежать електротехнічні властивості побудованих на їх основі електронних приладів. Вимірювання виконано на прецизійній мікроаналітичній установці "Скануючий ядерний зонд" щойно введеній в експлуатацію в лабораторії "Спектр". Експеримент показав, що товщина шару золота, напиленого на поверхню зразків, дорівнює ~ 17 нм (для одного зразка) і ~ 20 нм (для другого зразка). Неоднорідність товщини цих шарів по поверхні не перевищує 1,6 нм і не виходить за межі похибки експерименту. Під золотом, у проміжному шарі золото - кремній, виявлено значну кількість домішки. Ймовірно, що це залишок фтору після технологічної операції травлення поверхні кремнію в суміші кислот, куди входить і плавикова кислота. Показано, що кількість виявленого фтору для серії вимірів сильно корелює з величиною струму альфа-частинок на мішені під час набору спектра. Очевидно, що локальний нагрів мішені залежить від величини струму. Звідси випливає різна швидкість локальної дифузії атомів фтору з поверхні мішені.

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8 + В372.6

Рубрики:

Сонячні батареї

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З889.8

Рубрики:

Оптичні лінії зв'язку

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Д452.824-44

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено вплив випромінювання на нестаціонарний потік над розтяжною поверхнею з мінливою в'язкістю та змінною теплопровідністю. Відповідні визначальні рівняння одержано з використанням відповідних перетворень і розв'язано за допомогою спектрального методу Чебишева. На графіках наведено результати розрахунків профілів безрозмірної швидкості та безрозмірної температури для різних значень параметра випромінювання, в'язкості, теплопровідності, індексів простору-часу, числа Прандтля та параметра нестаціонарності. Показано, що скін-тертя та швидкість теплопередачі зменшуються зі зменшенням числа Прандтля і параметра нестаціонарності за зростання параметра випромінювання. Безрозмірна температура зростає зі збільшенням параметра випромінювання та в'язкості, але зменшується за збільшення індексів простору-часу.

Розглянуто потік і теплопередачу у нестаціонарному двовимірному граничному шарі неньютонівської максвеллівської рідини над розтяжною оболонкою у разі мінливих властивостей рідини з внутрішньою генерацією тепла. Визначальні диференціальні рівняння перетворено в систему взаємозв'язаних нелінійних звичайних диференціальних рівнянь, які розв'язані числово за відповідних граничних умов для різних величин фізичних параметрів. Числове розв'язання нелінійної граничної задачі базується на спектральному методі Чебишева. Розглянуто ефекти таких параметрів, як в'язкість, теплопровідність, параметр нестаціонарності, інтенсивність генерації тепла, параметр Максвелла та число Прандтля на профілі потоку і температури, локальний коефіцієнт скін-тертя та локальне число Нуссельта. Числові результати порівняно з відомими в граничних випадках. Вивчено ефекти в'язкості, теплопровідності та інтенсивності генерації тепла на поля швидкості та температури над оболонкою.

Наведено результати дослідження впливу рекомбінаційних експоненціально розподілених поверхневих центрів на процеси поверхневої рекомбінації та характеристики кремнієвих сонячних елементів (СЕ). Під час розрахунках вважалося, що система акцепторних поверхневих станів розташована в верхній половині забороненої зони кремнію, а донорних поверхневих станів - у нижній. Враховувалось також, що біля середини забороненої зони знаходиться дискретний поверхневий рівень. Показано, що у випадку, коли інтегральна концентрація неперервно розподілених центрів порівняна з концентрацією глибокого поверхневого рівня, вони впливають на характеристики кремнієвих СЕ лише завдяки рекомбінації. У другому випадку, коли їх концентрація порядку більша за концентрацію, яка характеризує вбудований у діелектрику заряд, вони безпосередньо впливають на величину поверхневого вигину зон і значення фотоерс. В результаті комп'ютерного моделювання встановлено умови, за яких швидкість рекомбінації через неперервно розподілені поверхневі центри є більшою за швидкість рекомбінації через глибокий дискретний рівень. Розраховано зменшення напруги розімкненого кола в кремнієвих інверсійних СЕ, пов'язане з рекомбінацією через неперервно розподілені центри. Розвинену теорію порівняно з експериментом.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В377.151

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Л712.41 + Л719.945

Рубрики:

Полімери ненасичених спиртів

Вугільні пластики та графітопласти

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Показано можливість одержання нанокристалів оксиду цинку за допомогою електролітичного методу з використанням цинкових електродів і розчину кухонної солі в ролі електроліту. Одержані наночастинки досліджено з використанням методу рентгеноструктурного аналізу, який показав, що їх розміри становлять величину порядку 30 нм. Дослідження спектрів пропускання електроліту після проведення експерименту показали, що ширина забороненої зони наночастинок становить величину 3,35 еВ, що узгоджується з її значенням для монокристалів.